اثر گاف انرژی در رسانندگی گرافین تک لایه گاف دار

thesis
abstract

برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید جمله جرم در هامیلتونی است. بدین منظور بین انرژیهای الکترونهای جایگزیده دو زیر شبکه های b و a اختلاف انرژی به وجود می آوریم. به طور تحلیلی روابط احتمال عبور را برای یک و دو سد و همچنین برای ابرشبکه محاسبه کردیم. نتایج تحلیلی و عددی نشان می دهد که تونل زنی کلین با حضورگاف انرژی، که پیشگویی می کند فرمیون های دیراک در فرود عمودی از پتانسیل مرتفع عبور می کنند و این به ارتفاع و عرض سد بستگی ندارد، درست نخواهد بود. و احتمال عبور در گرافین گاف دار قویاً به پارامترهای ساختار وابسته است. همچنین محدوده ای از گاف انرژی وجود دارد که در آن رسانندگی به ماکزیمم مقدار خود می رسد. بنابراین رسانندگی الکتریکی با انتخاب مناسب اندازه گاف و عرض سد می تواند به ماکزیمم مقدار برسد.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

رسانش اسپینی گرافین گاف دار

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

full text

مطالعه اثر هارتمن در گرافین تک لایه گاف دار

تونل زنی کوانتومی در دهه های گذشته مورد توجه زیادی قرار گرفته است. تعداد قابل توجهی از مطالعات بر روی مدت زمانی است که ذره برای عبور از سد پتانسیل سپری می کند.اثر هارتمن بیان می کند که برای سدهای ضخیم زمان تاخیر گروه مستقل از طول سد است که در نهایت به سرعت تونل زنی سوپرلومینال منجر می شود. در این پایا نامه ،اثر هارتمن در گرافین تک لایه در دو حالت بدون گاف و گاف دار و همچنین یک سیستم ترکیبی از گ...

15 صفحه اول

اثر گاف در رسانندگی الکتریکی گرافین دو لایه

در این پژوهش به بررسی اثر گاف انرژی و پارامترهای ساختاری بر رسانندگی گرافین دولایه می پردازیم. با قرار دادن یک لایه گرافین بر روی گرافین تک لایه، گرافین دولایه، سیستمی متفاوت با خواص قابل تغییر، تشکیل می شود. یکی از جالب ترین خواص گرافین دولایه گاف انرژی قابل تغییر آن است. این گاف با اعمال بایاس بین دو لایه یا داپینگ یکی از لایه ها ایجاد می شود که منجر به اختلاف پتانسیل بین دولایه می گردد. سی...

15 صفحه اول

بررسی حالت مقید الکترون در گرافین تک لایه گاف دار

در گرافین، الکترون های رسانش شبیه ذرات نسبیتی بدون جرم دیراک با یک خاصیت کایرال رفتار می کنند. به همین دلیل، مقید کردن الکترون ها در گرافین به شکل هندسه های نقطه کوانتومی ناممکن است. در گرافین بدون گاف، به دلیل طیف الکترونی منحصر به فرد آن، رسانش الکتریکی در نقطه? دیراک دارای یک کمینه است. این موضوع استفاده از ماده فوق را در قطعات الکترونیکی دشوار کرده است. یکی از روش های غلبه بر این مشکل، ایجا...

15 صفحه اول

بهبود عملکرد ابزارهای الکترونیکی بر پایه پلی تیوفین به روش مهندسی گاف انرژی در حضور گرافین.

نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذره‌ای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلی‌تیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهنده‌ی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح می‌باشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشان‌دهنده‌ی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ا...

full text

اثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی

  The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم پایه

Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023